IRF6629TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6629TRPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Specifiche:	IRF6629TRPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4569 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4569 pcs

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Specifiche di IRF6629TRPBF

Modello di prodotti	IRF6629TRPBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4569 pcs	Scheda dati	IRF6629TRPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.35V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MX
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	2.1 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 100W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric MX	Altri nomi	IRF6629TRPBFTR SP001526802
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4260pF @ 13V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 180A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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