IRF6678

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6678
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Specifiche:	IRF6678.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	53240 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53240 pcs

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Specifiche di IRF6678

Modello di prodotti	IRF6678	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	53240 pcs	Scheda dati	IRF6678.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.25V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MX
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric MX	Altri nomi	IRF6678TR SP001526792
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5640pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Ta), 150A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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