IRF6721STR1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6721STR1PBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Specifiche:	IRF6721STR1PBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4412 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4412 pcs

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Specifiche di IRF6721STR1PBF

Modello di prodotti	IRF6721STR1PBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4412 pcs	Scheda dati	IRF6721STR1PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ SQ
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	7.3 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric SQ	Altri nomi	IRF6721STR1PBFTR SP001526984
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1430pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 60A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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