IRF7807VD2

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF7807VD2
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Specifiche:	IRF7807VD2.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5550 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5550 pcs

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Specifiche di IRF7807VD2

Modello di prodotti	IRF7807VD2	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5550 pcs	Scheda dati	IRF7807VD2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	FETKY™	Rds On (max) a Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	*IRF7807VD2
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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