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IRFHM8334TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
IRFHM8334TRPBF Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: IRFHM8334TRPBF
Costruttore / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Specifiche: IRFHM8334TRPBF.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 166664 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 166664 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
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Specifiche di IRFHM8334TRPBF

Modello di prodotti IRFHM8334TRPBF fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 166664 pcs Scheda dati IRFHM8334TRPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie HEXFET® Rds On (max) a Id, Vgs 9 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 28W (Tc) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN Altri nomi IRFHM8334TRPBF-ND
IRFHM8334TRPBFTR
SP001570906
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 13A (Ta) 2.7W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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