IRFS59N10DPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFS59N10DPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Specifiche:	IRFS59N10DPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	50453 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50453 pcs

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1 pcs: $1.413

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Specifiche di IRFS59N10DPBF

Modello di prodotti	IRFS59N10DPBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	50453 pcs	Scheda dati	IRFS59N10DPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 200W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	*IRFS59N10DPBF SP001571716
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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