IRLL024NPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRLL024NPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Specifiche:	IRLL024NPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	158086 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 158086 pcs

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Specifiche di IRLL024NPBF

Modello di prodotti	IRLL024NPBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	158086 pcs	Scheda dati	IRLL024NPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	65 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	SP001550452
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15.6nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	55V
Descrizione dettagliata	N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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