SPI80N08S2-07R

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SPI80N08S2-07R
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Specifiche:	SPI80N08S2-07R.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4683 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4683 pcs

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Specifiche di SPI80N08S2-07R

Modello di prodotti	SPI80N08S2-07R	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4683 pcs	Scheda dati	SPI80N08S2-07R.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO262-3-1
Serie	OptiMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	7.3 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Altri nomi	SP000013717 SPI80N08S207R
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5830pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	75V
Descrizione dettagliata	N-Channel 75V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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