1SS355VMTE-17

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	1SS355VMTE-17
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
Specifiche:	1.1SS355VMTE-17.pdf 2.1SS355VMTE-17.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1678741 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1678741 pcs

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Specifiche di 1SS355VMTE-17

Modello di prodotti	1SS355VMTE-17	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1678741 pcs	Scheda dati	1.1SS355VMTE-17.pdf 2.1SS355VMTE-17.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.2V @ 100mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	80V
Contenitore dispositivo fornitore	UMD2	Velocità	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	4ns
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SC-90, SOD-323F
Altri nomi	1SS355VMTE-17-ND 1SS355VMTE-17TR 1SS355VMTE17	Temperatura di funzionamento - Giunzione	150°C (Max)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 80V 100mA Surface Mount UMD2	Corrente - Dispersione inversa a Vr	100nA @ 80V
Corrente - raddrizzata media (Io)	100mA	Capacità a Vr, F	3pF @ 0.5V, 1MHz
Numero di parte base	1SS355

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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