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BSM080D12P2C008

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: BSM080D12P2C008
Costruttore / Marca: LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto SIC POWER MODULE-1200V-80A
Specifiche: 1.BSM080D12P2C008.pdf2.BSM080D12P2C008.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 309 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 309 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
1 pcs
$110.656
10 pcs
$106.841
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Specifiche di BSM080D12P2C008

Modello di prodotti BSM080D12P2C008 fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione SIC POWER MODULE-1200V-80A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 309 pcs Scheda dati 1.BSM080D12P2C008.pdf2.BSM080D12P2C008.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 13.2mA Contenitore dispositivo fornitore Module
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs -
Potenza - Max 600W imballaggio Tray
Contenitore / involucro Module temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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