DTA123EMT2L

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTA123EMT2L
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Specifiche:	1.DTA123EMT2L.pdf 2.DTA123EMT2L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1597235 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1597235 pcs

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Specifiche di DTA123EMT2L

Modello di prodotti	DTA123EMT2L	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1597235 pcs	Scheda dati	1.DTA123EMT2L.pdf 2.DTA123EMT2L.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	VMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-723
Altri nomi	DTA123EMT2LTR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	20 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	DTA123

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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