DTC363EUT106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTC363EUT106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Specifiche:	DTC363EUT106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5986 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5986 pcs

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Specifiche di DTC363EUT106

Modello di prodotti	DTC363EUT106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5986 pcs	Scheda dati	DTC363EUT106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	20V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	80mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	6.8 kOhms
Resistor - Base (R1)	6.8 kOhms	Potenza - Max	200mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	200MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA
Numero di parte base	DTC363

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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