DTD513ZETL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTD513ZETL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Specifiche:	1.DTD513ZETL.pdf 2.DTD513ZETL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	748245 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 748245 pcs

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Specifiche di DTD513ZETL

Modello di prodotti	DTD513ZETL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	748245 pcs	Scheda dati	1.DTD513ZETL.pdf 2.DTD513ZETL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	12V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	EMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	1 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SC-75, SOT-416
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	260MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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