EMB9T2R

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EMB9T2R
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Specifiche:	EMB9T2R.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	696618 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 696618 pcs

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Specifiche di EMB9T2R

Modello di prodotti	EMB9T2R	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	696618 pcs	Scheda dati	EMB9T2R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	EMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	EMB9T2R-ND EMB9T2RTR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA	Numero di parte base	MB9

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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