IMB10AT110

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IMB10AT110
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Specifiche:	1.IMB10AT110.pdf 2.IMB10AT110.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	755682 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 755682 pcs

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Specifiche di IMB10AT110

Modello di prodotti	IMB10AT110	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	755682 pcs	Scheda dati	1.IMB10AT110.pdf 2.IMB10AT110.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	SMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SC-74, SOT-457
Altri nomi	IMB10AT110TR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	MB10

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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