R8008ANX

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R8008ANX
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
Specifiche:	R8008ANX.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	40505 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40505 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $1.877

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Specifiche di R8008ANX

Modello di prodotti	R8008ANX	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	40505 pcs	Scheda dati	R8008ANX.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FM
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.03 Ohm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	17 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	800V
Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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