RD3U040CNTL1

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RD3U040CNTL1
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	NCH 250V 4A POWER MOSFET
Specifiche:	RD3U040CNTL1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	110821 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 110821 pcs

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Specifiche di RD3U040CNTL1

Modello di prodotti	RD3U040CNTL1	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	NCH 250V 4A POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	110821 pcs	Scheda dati	RD3U040CNTL1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	29W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	RD3U040CNTL1TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	250V	Descrizione dettagliata	N-Channel 250V 4A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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