RE1J002YNTCL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RE1J002YNTCL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Specifiche:	1.RE1J002YNTCL.pdf 2.RE1J002YNTCL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	905924 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 905924 pcs

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Specifiche di RE1J002YNTCL

Modello di prodotti	RE1J002YNTCL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	905924 pcs	Scheda dati	1.RE1J002YNTCL.pdf 2.RE1J002YNTCL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	800mV @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	EMT3F (SOT-416FL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-89, SOT-490	Altri nomi	RE1J002YNTCL-ND RE1J002YNTCLTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0.9V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	50V
Descrizione dettagliata	N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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