RFN10TF6S

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RFN10TF6S
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Specifiche:	RFN10TF6S.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	71954 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71954 pcs

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Specifiche di RFN10TF6S

Modello di prodotti	RFN10TF6S	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	71954 pcs	Scheda dati	RFN10TF6S.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.55V @ 10A	Tensione - inversa (Vr) (max)	600V
Contenitore dispositivo fornitore	TO-220NFM	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	50ns
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-220-2
Temperatura di funzionamento - Giunzione	150°C (Max)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10µA @ 600V	Corrente - raddrizzata media (Io)	10A
Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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