RFN2LAM6STR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RFN2LAM6STR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Specifiche:	1.RFN2LAM6STR.pdf 2.RFN2LAM6STR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	273010 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 273010 pcs

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Specifiche di RFN2LAM6STR

Modello di prodotti	RFN2LAM6STR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	273010 pcs	Scheda dati	1.RFN2LAM6STR.pdf 2.RFN2LAM6STR.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.55V @ 1.5A	Tensione - inversa (Vr) (max)	600V
Contenitore dispositivo fornitore	PMDTM	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	35ns
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SOD-128
Altri nomi	RFN2LAM6SCT	Temperatura di funzionamento - Giunzione	150°C (Max)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	20 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDTM
Corrente - Dispersione inversa a Vr	1µA @ 600V	Corrente - raddrizzata media (Io)	1.5A
Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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