RND030N20TL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RND030N20TL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Specifiche:	RND030N20TL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	190382 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 190382 pcs

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Specifiche di RND030N20TL

Modello di prodotti	RND030N20TL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	190382 pcs	Scheda dati	RND030N20TL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.2V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	CPT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	870 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	850mW (Ta), 20W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	RND030N20TLTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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