RQ3E120ATTB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RQ3E120ATTB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
Specifiche:	1.RQ3E120ATTB.pdf 2.RQ3E120ATTB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	195897 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 195897 pcs

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Specifiche di RQ3E120ATTB

Modello di prodotti	RQ3E120ATTB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	195897 pcs	Scheda dati	1.RQ3E120ATTB.pdf 2.RQ3E120ATTB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	RQ3E120ATTBCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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