RQ6E085BNTCR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RQ6E085BNTCR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Specifiche:	1.RQ6E085BNTCR.pdf 2.RQ6E085BNTCR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	172792 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 172792 pcs

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Specifiche di RQ6E085BNTCR

Modello di prodotti	RQ6E085BNTCR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	172792 pcs	Scheda dati	1.RQ6E085BNTCR.pdf 2.RQ6E085BNTCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-457
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-74, SOT-457	Altri nomi	RQ6E085BNTCRTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	32.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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