RRL025P03TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RRL025P03TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Specifiche:	1.RRL025P03TR.pdf 2.RRL025P03TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	228160 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 228160 pcs

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Specifiche di RRL025P03TR

Modello di prodotti	RRL025P03TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	228160 pcs	Scheda dati	1.RRL025P03TR.pdf 2.RRL025P03TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TUMT6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	320mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-SMD, Flat Leads	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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