RRQ030P03TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RRQ030P03TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Specifiche:	RRQ030P03TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	292546 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 292546 pcs

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Specifiche di RRQ030P03TR

Modello di prodotti	RRQ030P03TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	292546 pcs	Scheda dati	RRQ030P03TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	600mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	RRQ030P03MGTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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