RSQ025P03TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RSQ025P03TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Specifiche:	RSQ025P03TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	210544 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 210544 pcs

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Specifiche di RSQ025P03TR

Modello di prodotti	RSQ025P03TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	210544 pcs	Scheda dati	RSQ025P03TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	110 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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