RSS060P05FU6TB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RSS060P05FU6TB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC
Specifiche:	RSS060P05FU6TB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	75412 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75412 pcs

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Specifiche di RSS060P05FU6TB

Modello di prodotti	RSS060P05FU6TB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	75412 pcs	Scheda dati	RSS060P05FU6TB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	36 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	RSS060P05FU6TBDKR
temperatura di esercizio	-	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	32.2nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	45V
Descrizione dettagliata	P-Channel 45V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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