RTQ020N03TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RTQ020N03TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Specifiche:	1.RTQ020N03TR.pdf 2.RTQ020N03TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	355657 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di RTQ020N03TR

Modello di prodotti	RTQ020N03TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	355657 pcs	Scheda dati	1.RTQ020N03TR.pdf 2.RTQ020N03TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	125 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	RTQ020N03CT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	135pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.3nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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