RUL035N02TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RUL035N02TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Specifiche:	1.RUL035N02TR.pdf 2.RUL035N02TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	190757 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 190757 pcs

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Specifiche di RUL035N02TR

Modello di prodotti	RUL035N02TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	190757 pcs	Scheda dati	1.RUL035N02TR.pdf 2.RUL035N02TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TUMT6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	320mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-SMD, Flat Leads	Altri nomi	RUL035N02CT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 3.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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