RW1C026ZPT2CR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RW1C026ZPT2CR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Specifiche:	RW1C026ZPT2CR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	708221 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 708221 pcs

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Specifiche di RW1C026ZPT2CR

Modello di prodotti	RW1C026ZPT2CR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	708221 pcs	Scheda dati	RW1C026ZPT2CR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-WEMT
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	70 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666	Altri nomi	RW1C026ZPT2CRTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1250pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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