RYC002N05T316

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RYC002N05T316
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Specifiche:	1.RYC002N05T316.pdf 2.RYC002N05T316.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	595972 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 595972 pcs

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Specifiche di RYC002N05T316

Modello di prodotti	RYC002N05T316	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	595972 pcs	Scheda dati	1.RYC002N05T316.pdf 2.RYC002N05T316.pdf
Vgs (th) (max) a Id	800mV @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SST3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	RYC002N05T316CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	50V
Descrizione dettagliata	N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SST3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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