RZL025P01TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RZL025P01TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Specifiche:	RZL025P01TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	260991 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 260991 pcs

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Specifiche di RZL025P01TR

Modello di prodotti	RZL025P01TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	260991 pcs	Scheda dati	RZL025P01TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TUMT6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	61 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-SMD, Flat Leads	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	P-Channel 12V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

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Specifiche

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