RZM002P02T2L

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RZM002P02T2L
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Specifiche:	1.RZM002P02T2L.pdf 2.RZM002P02T2L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	867005 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 867005 pcs

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Specifiche di RZM002P02T2L

Modello di prodotti	RZM002P02T2L	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	867005 pcs	Scheda dati	1.RZM002P02T2L.pdf 2.RZM002P02T2L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	VMT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-723	Altri nomi	RZM002P02T2LCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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