SCT3022ALGC11

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SCT3022ALGC11
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET NCH 650V 93A TO247N
Specifiche:	1.SCT3022ALGC11.pdf 2.SCT3022ALGC11.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2253 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2253 pcs

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Specifiche di SCT3022ALGC11

Modello di prodotti	SCT3022ALGC11	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET NCH 650V 93A TO247N	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2253 pcs	Scheda dati	1.SCT3022ALGC11.pdf 2.SCT3022ALGC11.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.6V @ 18.2mA	Vgs (Max)	+22V, -4V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247N
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	28.6 mOhm @ 36A, 18V
Dissipazione di potenza (max)	339W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2208pF @ 500V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	133nC @ 18V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	93A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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