SP8M2FU6TB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SP8M2FU6TB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
Specifiche:	SP8M2FU6TB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	104334 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 104334 pcs

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Specifiche di SP8M2FU6TB

Modello di prodotti	SP8M2FU6TB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	104334 pcs	Scheda dati	SP8M2FU6TB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	83 mOhm @ 3.5A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V	Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A
Numero di parte base	*M2

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Post-Vendita
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