TT8U1TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TT8U1TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Specifiche:	1.TT8U1TR.pdf 2.TT8U1TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	213607 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 213607 pcs

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Specifiche di TT8U1TR

Modello di prodotti	TT8U1TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	213607 pcs	Scheda dati	1.TT8U1TR.pdf 2.TT8U1TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-TSST
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.7nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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