UMF21NTR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	UMF21NTR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
Specifiche:	UMF21NTR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	541100 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 541100 pcs

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Specifiche di UMF21NTR

Modello di prodotti	UMF21NTR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	541100 pcs	Scheda dati	UMF21NTR.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V, 12V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP	Contenitore dispositivo fornitore	UMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz, 260MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA, 500mA
Numero di parte base	*MF21

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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