BQ4011MA-100

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BQ4011MA-100
Costruttore / Marca:	N/A
Descrizione del prodotto	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5077 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 5077 pcs

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Specifiche di BQ4011MA-100

Modello di prodotti	BQ4011MA-100	fabbricante	N/A
Descrizione	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5077 pcs	Scheda dati
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	100ns	Tensione di alimentazione -	4.75 V ~ 5.5 V
Tecnologia	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Contenitore dispositivo fornitore	28-DIP Module (18.42x37.72)
Serie	-	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	28-DIP Module (0.61", 15.49mm)	Altri nomi	296-9391-5 BQ4011MA100
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Tipo di memoria	Non-Volatile
Dimensione della memoria	256Kb (32K x 8)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	NVSRAM	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-DIP Module (18.42x37.72)	Numero di parte base	BQ4011
Tempo di accesso	100ns

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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