CSD19531Q5AT

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	CSD19531Q5AT
Costruttore / Marca:	N/A
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Specifiche:
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	55551 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55551 pcs

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Specifiche di CSD19531Q5AT

Modello di prodotti	CSD19531Q5AT	fabbricante	N/A
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A 8SON	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	55551 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	3.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-VSONP (5x6)
Serie	NexFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	6.4 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.3W (Ta), 125W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	296-37749-2
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3870pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 100A (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)	Numero di parte base	CSD19531

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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