EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Costruttore / Marca:	Micron Technology
Descrizione del prodotto	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Specifiche:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	12229 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Modello di prodotti	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR	fabbricante	Micron Technology
Descrizione	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	12229 pcs	Scheda dati	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	-	Tensione di alimentazione -	1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia	SDRAM - Mobile LPDDR2	Contenitore dispositivo fornitore	134-VFBGA (10x11.5)
Serie	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	134-VFBGA	Altri nomi	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-R-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-RTR
temperatura di esercizio	-40°C ~ 105°C (TC)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	1Gb (32M x 32)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	DRAM	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)	Frequenza dell'orologio	533MHz

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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