EDB4432BBBJ-1D-F-R

Micron Technology

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EDB4432BBBJ-1D-F-R
Costruttore / Marca:	Micron Technology
Descrizione del prodotto	IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Specifiche:	EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	11826 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di EDB4432BBBJ-1D-F-R

Modello di prodotti	EDB4432BBBJ-1D-F-R	fabbricante	Micron Technology
Descrizione	IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	11826 pcs	Scheda dati	EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	-	Tensione di alimentazione -	1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia	SDRAM - Mobile LPDDR2	Contenitore dispositivo fornitore	134-FBGA (10x11.5)
Serie	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	134-WFBGA	Altri nomi	EDB4432BBBJ-1D-F-R TR EDB4432BBBJ-1D-F-R TR-ND EDB4432BBBJ-1D-F-RTR
temperatura di esercizio	-30°C ~ 85°C (TC)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	4Gb (128M x 32)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	DRAM	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)	Frequenza dell'orologio	533MHz

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Post-Vendita
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