EDY4016AABG-DR-F-R TR

Micron Technology

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EDY4016AABG-DR-F-R TR
Costruttore / Marca:	Micron Technology
Descrizione del prodotto	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Specifiche:	EDY4016AABG-DR-F-R TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	9032 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di EDY4016AABG-DR-F-R TR

Modello di prodotti	EDY4016AABG-DR-F-R TR	fabbricante	Micron Technology
Descrizione	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	9032 pcs	Scheda dati	EDY4016AABG-DR-F-R TR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	-	Tensione di alimentazione -	1.14 V ~ 1.26 V
Tecnologia	SDRAM - DDR4	Contenitore dispositivo fornitore	96-FBGA (7.5x13.5)
Serie	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	96-TFBGA	Altri nomi	EDY4016AABG-DR-F-R EDY4016AABG-DR-F-R TR-ND EDY4016AABG-DR-F-R-ND EDY4016AABG-DR-F-RTR
temperatura di esercizio	0°C ~ 95°C (TC)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	4Gb (256M x 16)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	DRAM	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (7.5x13.5)	Frequenza dell'orologio	1.2GHz

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Post-Vendita
Specifiche

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