1N649-1

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	1N649-1
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Specifiche:	1N649-1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	40411 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40411 pcs

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Specifiche di 1N649-1

Modello di prodotti	1N649-1	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	40411 pcs	Scheda dati	1N649-1.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1V @ 400mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	600V
Contenitore dispositivo fornitore	DO-35	Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	DO-204AH, DO-35, Axial	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35	Corrente - Dispersione inversa a Vr	50nA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io)	400mA	Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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