2N2907AE4

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N2907AE4
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
Specifiche:	2N2907AE4.pdf
Stato RoHS	A norma RoHS
Condizione di scorta	21051 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21051 pcs

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Specifiche di 2N2907AE4

Modello di prodotti	2N2907AE4	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T	Stato Lead senza piombo / RoHS	A norma RoHS
quantità disponibile	21051 pcs	Scheda dati	2N2907AE4.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	60V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor	PNP	Contenitore dispositivo fornitore	TO-18
Serie	-	Stato RoHS	RoHS Compliant
Potenza - Max	500mW	Contenitore / involucro	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
temperatura di esercizio	-65°C ~ 200°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Frequenza - transizione	-	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V	Corrente - Cutoff collettore (max)	10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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