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2N6782U

MicrosemiMicrosemi
Microsemi
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: 2N6782U
Costruttore / Marca: Microsemi
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 100V 18LCC
Specifiche: 2N6782U.pdf
Stato RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta 5650 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5650 pcs
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Specifiche di 2N6782U

Modello di prodotti 2N6782U fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 100V 18LCC Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5650 pcs Scheda dati 2N6782U.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 18-ULCC (9.14x7.49)
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 600 mOhm @ 2.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta), 15W (Tc) imballaggio Bulk
Contenitore / involucro 18-CLCC temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 3.5A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc)

Metodo di spedizione

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(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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