APT102GA60B2

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT102GA60B2
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	IGBT 600V 183A 780W TO247
Specifiche:	APT102GA60B2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5436 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5436 pcs

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Specifiche di APT102GA60B2

Modello di prodotti	APT102GA60B2	fabbricante	Microsemi
Descrizione	IGBT 600V 183A 780W TO247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5436 pcs	Scheda dati	APT102GA60B2.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	600V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	2.5V @ 15V, 62A
Condizione di test	400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V	Td (on / off) @ 25 ° C	28ns/212ns
di scambio energetico	1.354mJ (on), 1.614mJ (off)	Serie	POWER MOS 8™
Potenza - Max	780W	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3 Variant	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo di ingresso	Standard
Tipo IGBT	PT	carica gate	294nC
Descrizione dettagliata	IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole	Corrente - collettore Pulsed (Icm)	307A
Corrente - collettore (Ic) (max)	183A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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