APT150GT120JR

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT150GT120JR
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Specifiche:	1.APT150GT120JR.pdf 2.APT150GT120JR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1976 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1976 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $19.453

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Specifiche di APT150GT120JR

Modello di prodotti	APT150GT120JR	fabbricante	Microsemi
Descrizione	IGBT 1200V 170A 830W SOT227	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1976 pcs	Scheda dati	1.APT150GT120JR.pdf 2.APT150GT120JR.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	1200V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	3.7V @ 15V, 150A
Contenitore dispositivo fornitore	ISOTOP®	Serie	Thunderbolt IGBT®
Potenza - Max	830W	Contenitore / involucro	ISOTOP
Altri nomi	APT150GT120JRMI APT150GT120JRMI-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC	No	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	9.3nF @ 25V
Ingresso	Standard	Tipo IGBT	NPT
Descrizione dettagliata	IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®	Corrente - Cutoff collettore (max)	150µA
Corrente - collettore (Ic) (max)	170A	Configurazione	Single

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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