APT26M100JCU3

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT26M100JCU3
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Specifiche:	APT26M100JCU3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2799 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2799 pcs

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Specifiche di APT26M100JCU3

Modello di prodotti	APT26M100JCU3	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2799 pcs	Scheda dati	APT26M100JCU3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-227
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (max) a Id, Vgs	396 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	543W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7868pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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