APT31M100B2

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT31M100B2
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Specifiche:	1.APT31M100B2.pdf 2.APT31M100B2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5224 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5224 pcs

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Specifiche di APT31M100B2

Modello di prodotti	APT31M100B2	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5224 pcs	Scheda dati	1.APT31M100B2.pdf 2.APT31M100B2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	T-MAX™ [B2]
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (max) a Id, Vgs	380 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1040W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3 Variant	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 32A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Tc)

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Post-Vendita
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