APT6010B2LLG

Microsemi Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT6010B2LLG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Specifiche:	APT6010B2LLG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	3424 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3424 pcs

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Specifiche di APT6010B2LLG

Modello di prodotti	APT6010B2LLG	fabbricante	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	3424 pcs	Scheda dati	APT6010B2LLG.pdf
Tensione - Prova	6710pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (max) a Id	100 mOhm @ 27A, 10V	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	POWER MOS 7®	Stato RoHS	Tube
Rds On (max) a Id, Vgs	54A (Tc)	Polarizzazione	TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	APT6010B2LLG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150nC @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 2.5mA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	600V	rapporto di capacità	690W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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